“各位董事，要是euv llc聯盟在未來二年內從理論上證明研製euv光刻機的技術可行，將這個寶貴的機會和重任交給gca，公司不可能放棄，但投資巨大，半導體產業陷入衰退又不可避免，避免兩線作戰，造成資金捉襟見肘，我們隻能將重心放在euv光刻機的研製上。我建議艾德裏安先生和湯普森院長出麵找svg商談，聯合開發157nm激光器�！�


    孫健估計，euv llc聯盟在明年底前就能證明製造euv光刻機在理論上的可行性，但euv光刻機量產最起碼還需要10年，如今也不能告訴大家，到時由bsec免費提供193nm浸沒式光刻機專利技術給gca。


    bsec是在gca擁有的第一代193nmarf準分子激光器專利技術基礎上研發成功193nm浸沒式光刻機技術，核心還是gca擁有技術專利的193nm準分子激光器，gca研製的第二代、第三代193nm準分子激光器也授權bsec技術；雖然浸沒式光刻技術屬於bsec重新開發的公司發明專利，但按照當初簽訂的專利技術授權轉讓合同，要免費授權給gca使用，就像gca去年研發成功的第三代（12英寸晶圓、90nm製程工藝）磁懸浮式雙工作臺係統，專利還是屬於bsec，授權gca免費使用。


    1.5um-800nm製程工藝的光刻機配套6英寸晶圓，500nm-180nm製程工藝光刻機配套8英寸晶圓，90nm以下的都配套12英寸晶圓，相配套的磁懸浮工作臺係統分別稱為第一代、第二代、第三代，一代中還有子代，核心技術還是bsec擁有公司發明專利的第一代。


    gca研發成功第二代、第三代磁懸浮式雙工作臺係統通過夏季常院士領導的光刻機自動化研究所改進後，青出於藍而勝於藍，返還gca使用，授權其他光刻機公司升級。


    bsec光刻機自動化研究所將來研製為12英寸晶圓、65nm製程工藝浸沒式光刻機配套的磁懸浮式雙工作臺係統將稱為第四代，10nm稱為第五代、7nm稱為第六代……bsec擁有的磁懸浮式雙工作臺係統的公司發明專利不會失效。


    兩家公司雖然都是孫健控股，手背手心都是肉，但嚴格按照兩國法律辦事，不會留下被人攻擊的把柄。


    以gca如今的江湖地位、財力和技術實力，願意同svg聯合開發157nm激光器，對雙方都有利，如何說服papken同意就不是孫健關心的事了。


    “好的，董事長！”


    “好的，董事長！”


    孫董事長同意兩條腿走路，艾德裏安和湯普森放心了，他倆有信心說服papken。


    其他董事也露出笑容。


    孫健也沒辦法說服公司高層放棄研究157nm激光器，隻能折中。


    1999年財報顯示，svg的銷售收入隻有2.7億美元，不到gca的5%，157nm激光器技術路線在前世已被證明沒有遠大前途，孫健不能明說，也說不清楚，正好借這次董事會的機會否決了gca高層打算投資10億美元收購svg的意向。


    前世，為了能進入euv llc聯盟，給美國政府一份投名狀，asml花費16億美元收購了市值10億美元的svg，拿到了157nm激光器需要配置的反折射鏡頭技術，由於已經研發成功193nm浸沒式光刻機技術，光刻效果超過nikon的157nm光刻機技術，svg的157nm激光器技術被束之高閣。


    前世，nikon費盡心機，在asml研究成功193nm浸沒式光刻機二年後，也研製成功157nm激光器，攻克了193nm波長的世界級難題，研製成功65nm製程工藝光刻機，但光刻效果不如65nm製程工藝的asml浸沒式光刻機好，intel、臺積電和三星等三家全球最重要的光刻機客戶不買賬，nikon不得不另起爐灶，重新開始研發浸沒式光刻機，nikon技術實力雄厚，竟然也研製成功，但一去一迴，耽誤了三、四年的時間，高端光刻機市場被asml占據了，隨著euv光刻機麵世，超高端光刻機市場也被asml壟斷，日本舉國之力也沒有研製成功euv光刻機，nikon喪失了同asml競爭的資格，在中端光刻機市場混日子。


    光刻機產業和晶圓製造產業都屬於勞動密集型和資金密集型產業，優勝劣汰，前世全球隻剩下3、4家！


    bsec將來能否研製成功euv光刻機不是孫健操心的事情，盡力就夠了！


    累死了，痛苦會留給家人！


    重生者也不想當什麼英雄!


    asml是否投巨資收購svg？得到其157nm激光器需要配置的反折射鏡頭技術，早日開發成功157nm激光器，tic作為戰略投資者，不幹涉asml的日常經營活動。


    全球數碼相機霸主canon看不上一年全球隻有500臺左右光刻機的生意，沒有全心研發光刻機，但今年3月也研製成功180nm製程工藝的光刻機，如今正在研製90nm製程工藝的光刻機，技術水平排在全球第4位，在全球中低端光刻機市場占據5成的市場份額。


    svg在今年5月也研發成功180nm製程工藝的光刻機。技術水平在全球排第五位，在全球中低端光刻機市場占據2成。


    bsec還在研發180nm製程工藝的光刻機，借助於蓬勃發展的國內市場，占據全球中低端光刻機市場的3成，還擁有全球排名第一的磁懸浮式雙工作臺係統技術，綜合實力同svg並列第五。


    研製12英寸晶圓、90nm製程工藝的光刻機比研發原子彈和衛星複雜的多，光刻機產業除了耗資巨大外，還需要技術積累和人才積累，這個時代的國內半導體產業鏈同美國和日本相比不是一個層次的競爭對手，bsec不可能花費10年時間就能趕上gca或nikon，孫健從開始接手，就有清醒的認識，錢不是萬能的！沒有193nm波長這道世界級的難題阻擋，bsec再花10年時間，也趕不上gca和nikon!


    如今euv llc聯盟同前世唯一不同的是，荷蘭光刻機公司amsl變成了美國光刻機公司gca。


    前世，asml為了進入euv llc聯盟，不得不答應美國政府提出的苛刻條件，包括在美國境內建廠、建立研發中心，製造出來的euv光刻機中有55%的零件必須由美企采購。


    euv光刻機中至少有一半技術來自美國高科技公司，這是asml永遠繞不過去的專利技術。


    90nm製程工藝的bsec光刻機不量產，bsec不會申請浸沒式光刻機技術的公司發明專利。